8-inch 碳化硅电阻法双加热器单晶生长炉
描述
评论
8-inch 碳化硅晶体生长设备是专为高质量4H-N型碳化硅晶体生长而设计的先进解决方案，集成电阻加热技术与精确的温场控制，确保晶体生产的高效性和均匀性。
设备技术参数：
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系统 |
项目 |
指标 |
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供电 |
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三相 380V 50Hz |
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真空室 |
直径×高度 |
900mm×1100mm |
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高精度三相交流电源 |
额定功率 |
30kW，50kW |
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额定输入电流 |
130A |
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额定输入电压 |
三相380VAC，50Hz |
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额定输出I电流电压 |
1443A，12V |
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额定输出Ⅱ电流电压 |
1519A，19V |
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真空系统 |
极限真空 |
空载极限真空小于 1×10-3Pa |
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系统保压 |
常温空炉，12h漏率<10Pa |
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加热温度 |
最高温度 |
2400℃ |
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测 温 |
范围 |
1000-3000℃ |
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气 氛 |
供应管路 |
2-Ar，N2 |
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控制精度 |
≤±2% |
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控压系统 |
控压范围 |
50Pa～80kPa |
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控压精度 |
50Pa≤P≤500Pa：≤±5Pa |
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控温系统 |
控温方式 |
功率控制，精度±20W |
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控温范围 |
1000-2500℃ |
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控温精度 |
±5℃ |
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水冷系统 |
进水压力 |
>0.3MPa（设计压力0.5MPa） |
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进水温度 |
25℃±1℃ |
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出水温度 |
<40℃ |
